三星电子正积极追赶台积电的先进晶圆制程，高层周四（4日）表示，虽然目前确实落后，但五年内将能追上。Sammobile 引述韩媒报道，三星装置解决方案主管事业部门主管庆桂显 ，在韩国科学技术院 （KAIST） 的一场活动中说明三星如何追赶台积电。
他坦言，三星晶圆技术目前落后台积电，旗下4纳米制程约落后两年，3纳米约落后三年，但他相信，三星能凭着率先导入3纳米环绕式闸极（Gate All Around，GAA）制程的优势，在五年内追上并取代台积电。
网传三星电子积极追赶台积电的先进晶圆制程？目前落后但五年内会追上！
三星和台积电都生产3纳米半导体，名称相同，但设计上完全不同，三星的3纳米采用GAA技术制造晶体管，台积电则是仰赖已获证实的FinFET。 由于台积电据传计划 2 纳米开始导入 GAA，让他相信是趁机赶上台积电的关键。
和台积电现有制程相比，GAA能让三星生产的芯片小45%，耗能减少50%。 根据庆桂显的说法，客户对三星3纳米GAA制程的反应良好。有意思的是，庆桂显还说，三星预期自家内存在人工智能（AI）服务器开发上将日益重要，有朝一日能超越英伟达的绘图芯片（GPU）地位。 他表示，三星将确保，以存储器为中心的超级计算机将能在 2028 年底以前问世。
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